本报讯 （记者 金伟 通讯员 梁松） 2月4日，晶盛机电举行“向芯而生 领航未来”6英寸双片式碳化硅外延设备新品发布会，这标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。

　　“该产品历时两年的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上，助力客户创造极大价值，为推动我国新能源产业发展贡献晶盛力量。”当天，晶盛机电外延设备研究所所长刘毅博士欣喜地介绍“6英寸双片式碳化硅外延设备”的核心设计理念、工艺性能。

　　据介绍，碳化硅器件具有耐高温、耐高压、转化效率高等优点，但高硬脆、低断裂韧性对生产工艺有着极其苛刻的要求，大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。“经过一年的研发，公司成功生长出行业领先的8英寸N型碳化硅晶体，完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发。” 晶盛机电碳化硅事业部欧阳鹏根博士介绍，8英寸N型碳化硅晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产，为实现我国在第三代半导体材料领域关键核心技术自主可控作出积极贡献。

　　晶盛机电董事长曹建伟博士表示，碳化硅全产业链从设备到工艺的创新，成本快速下降，产能快速扩张。晶盛机电持续以科技创新引领产品、工艺的迭代和突破，在先进制程及功率器件半导体装备领域，解决“卡脖子”难题，实现进口替代，不断助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。

　　据悉，在全球能源转型和“双碳”目标的背景下，新能源汽车、5G通信等新兴产业快速发展，全球市场对碳化硅功率器件需求激增，碳化硅迎来它的“高光时刻”。碳化硅在新能源汽车市场渗透率快速上升，据Yole预测，到2025年，碳化硅器件复合年增长率将达到30%。以碳化硅为代表的第三代半导体被国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要列入重要发展方向。